Micron、Intel 推 3D NAND 技术 10TB

Micron、Intel 推 3D NAND 技术 10TB

SSD 向来予人高效能但贵价的形象。虽然近期 256GB SSD 只需数百元亦有交易,但相比起主流硬碟同样价钱便可达数 TB,容量上确实仍有不少差距。不过 Micron 及 Intel 早前联合公布最新 3D NAND 技术,未来 SSD 容量将可同样攀上海量级数。

是次 Micron 与 Intel 的 3D NAND 使用 Floating Gate Cell 技术,乃由以往「平面」的 Planar flash 改进而来,但新的 3D NAND 却能像建筑物般「垂直」层层堆叠。据悉,初代 3D NAND 将可实现 32 层 256Gb( 32GB)MLC Cell 或 384Gb(48GB)TLC Cell。预料届时 M.2 大小的 SSD 将可达到 3.5TB 容量,2.5 吋标準 SSD 更可攀上 10TB 水平。

Micron、Intel 推 3D NAND 技术 10TB

另外,3D NAND 亦会採用 4-plane 设计以提升吞吐量,相对现时 2-plane 设计的读取及删除速度快约 2 倍。同时厂方又表示新的 3D NAND 会维持 3,000 P/E cycles 水平,使用寿命估计与现有 SSD 颗粒相若,未来更可进一步提升到 10,000 P/E cycles 以上。

消息指,3D NAND 256Gbit MLC 颗粒样本已送交特定厂商,预定今年下半年将进入投产阶段,相信首批 3D NAND SSD 产品将于明年上半年上市。

 

来源、图片:Anandtech、Digital Trends、Digitimes

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