记忆体 SK Hynix 发布 HBM2E 记忆体,

SK Hynix 今天宣布已开发出业界最高带宽的 HBM2E DRAM 产品。与之前的 HBM2 相比,新款 HBM2E 大约提升50%的带宽和100%的容量。

记忆体  SK Hynix 发布 HBM2E 记忆体,

SK Hynix 的 HBM2E 记忆体,其每个针脚传输速率为3.6Gbps,搭配1024-bit位宽,支援提供超过460GB/s的超高带宽。同时,透过利用 TSV(硅通孔)技术,最多可垂直堆叠8个16千兆位晶片,形成16GB数据容量的单个密集封装。

SK Hynix 的 HBM2E 可支援需要最高记忆体效能的高阶 GPU、超级电脑、机器学习和人工智慧系统等各种尖端领域。与採用模组封装形式并安装在系统板上的传统 DRAM 产品不同,HBM 晶片可以与 GPU 和逻辑晶片等处理器紧密互连,间距仅为几微米,可实现更快的数据传输。

Samsung 在三月份也发布了自家的 HBM2E 记忆体,将传输速率从2.4Gbps提升到3.2Gbps,提升幅度达到33%。同时每晶片的容量提升了两倍,达到16GB。同样,尚未可知工作电压和量产时间。
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